近日，西北师范大学物理与电子工程学院李燕教授团队在自整流光电突触忆阻器及其神经形态应用研究方面取得重要进展，相关成果在国际材料科学顶刊《Advanced Functional Materials》发表题为“Optoelectronic Synaptic Memristor with Coupled Reversible Self-Rectifying and Bipolar Resistive Switching for Multifunctional Neuromorphic Applications”的研究论文（一区TOP期刊，影响因子19）。论文第一作者为博士研究生杨凤霞，通讯作者为李燕教授，西北师范大学为独立完成和通讯单位。硕士研究生孙浩、张翔在器件神经形态应用研究中贡献突出。
本项研究工作开辟了铜基硫属化合物（CZTSSe）材料在突触忆阻器件及类脑神经形态应用领域的全新路径。该器件兼具可逆双极阻变与自整流特性，在光电场刺激下可模拟多种生物突触行为，展现出卓越的神经形态应用潜力。尤为重要的是，成功实现了CZTSSe材料的多项突破性应用：1）近红外光诱导的物理不可克隆安全加密，2）生物视觉系统模拟，3）弱光环境红外成像，4）远距离高精度调幅信号包络解调，研究成果可在信息安全领域、人工视觉感知、红外成像技术提供全新解决方案，并为通信领域的信号处理提供创新范式。这些研究成果充分彰显了CZTSSe材料在神经形态计算、人工智能及跨域技术融合中的重大科学价值与应用前景。
近红外光诱导物理不可克隆安全加密
基于器件自整流的长距离高精度调幅信号包络解调应用
该研究工作受到国家自然科学基金、甘肃省重点研发计划和产业支撑计划、西北师范大学重点项目培育计划等项目的支持，其他相关研究成果先后发表于Chem. Eng. J., Small, J. Phys. Chem. Lett., ACS Appl. Energy Mater.等学术期刊。
文献信息：F. Yang, H. Sun, X. Zhang, D. Chen, J. Chen, X. Zhang, J. Chen, Y. Zhao, Y. Li, Optoelectronic Synaptic Memristor with Coupled Reversible Self-Rectifying and Bipolar Resistive Switching for Multifunctional Neuromorphic Applications. Adv. Funct. Mater. 2025, e16894. DOI: 10.1002/adfm.202516894.